大功率LED之陶瓷COB技术

大功率LED之陶瓷COB技术

　　LED封装方式是以经过打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板Submount(黏着技术)链接而成LED芯片，再将芯片固定于系统板上链接成灯源模块。

　　目前，LED封装方法大致可区分为透镜式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type)，其中透镜的成型可以是模塑成型(Molding)或透镜黏合成型;如图1所示，而反射杯式芯片则多由混胶、点胶、封装成型;如图2所示。

　　近年来生长、固晶及封装设计逐渐成熟，LED的芯片尺寸与结构逐年微小化，高功率单颗芯片功率达1~3W，甚至是3W以上，当LED功率不断提升，对于LED芯片载版及系统电路版的散热及耐热要求，便日益严苛。

　　鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考虑，陶瓷基板成为以芯片次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜制程(Thick film)、低温共烧制程(LTCC)与薄膜制程(DPC)等方式制成。然而，厚膜制程与低温共烧制程，是利用网印技术与高温制程烧结，易产生线路粗糙、对位不精准、与收缩比例问题，若针对线路越来越精细的高功率LED产品，或是要求对位准确的共晶或覆晶制程生产的LED产品而言，厚膜与低温共烧的陶瓷基板，己逐渐不敷使用。

　　为此，高散热系数薄膜陶瓷散热基板,运用溅镀、电/化学沉积，以及黄光微影制程而成，具备金属线路精准、材料系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势，更是解决了共晶/覆晶封装制程对陶瓷基板金属线路分辨率与精确度的严苛要求。薄膜陶瓷COB(Chip On Board)散热基板可以符合不同照明需求。

　　当LED芯片以陶瓷作为载板时，此LED模块的散热瓶颈则转至系统电路板(PCB)，其将热能由LED芯片传至散热鳍片及大气中，随着LED芯片功能的逐渐提升，材料亦逐渐由FR4转变至金属芯印刷电路基板(MCPCB)，但随着高功率LED的需求进展，MCPCB材质的散热系数(2~4W/mk)无法用于更高功率的产品，为此，陶瓷电路板(Ceramic circuit board)的需求便逐渐普及。

　　为确保LED产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性，以陶瓷作为散热及金属布线基板的趋势已日渐明朗。陶瓷材料目前成本高于MCPCB，因此，如何利用陶瓷高散热系数特性下，节省材料使用面积以降低生产成本，成为陶瓷LED发展的重要指标。因此，近年来，以陶瓷材料COB设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商重视。

　　COB技术的概念：

　　COB在电子制造业里并不是新技术，是指直接将裸芯片黏贴在电路板上，并将导线/焊线直接焊接在PCB的镀金线路上，也是俗称中的打线(Wire bonding)，再透过封胶的技术，有效的将IC制造过程中的封装步骤在电路板上直接组装。在LED产业中，由于现代科技产品越来越讲究轻薄与高可移植性，此外，为了节省多颗LED芯片设计的系统板空间问题，在高功率LED系统需求中，便开发出直接将芯片黏贴于系统板的COB技术。

　　COB优点在于：高成本效益、线路设计简单、节省系统板空间等，但亦存在着芯片整合亮度、色温调和与系统整合的技术门坎。以25W的LED为例，传统高功率25W的LED光源，须采用25颗1W的LED芯片封装成25颗LED组件，而COB封装是将25颗1W的LED芯片封装在单一芯片中，因此需要的二次光学透镜将从25片缩减为1片，有助于缩小光源面积、缩减材料、系统成本，进而可简化光源系二次光学设计并节省组装人力成本。

　　此外，高功率COB封装仅需单颗高功率LED即可取代多颗1瓦(含)以上LED封装，促使产品体积更加轻薄短小。目前市面上，生产COB产品仍以使用MCPCB基板为主，然而MCPCB仍有许多散热以及光源面积过大的问题须解决，故其根本之道，还是从散热材料更新为最有效的解决方案。

　　陶瓷COB基板有以下几点好处：

　　Ⅰ. 薄膜制程，让基本上的线路更加精确;
　　Ⅱ. 量大降低成本;
　　Ⅲ. 可塑性高，可依合作伙伴的不同需求做;

　　COB的发展，是简化系统板的趋势，照明灯具的实用化、亮度、散热以及成本的控管，都是重要的关键因素。