LED效能突破！“零缺陷”新半导体材料出世

 日前由前台大校长李嗣涔、曾任台大电子所教授何志浩组成的跨国研究团队，成功研发出号称“零缺陷”的新半导体材料，可望大幅提升LED发光效率。

 这个团队的组成是美国加州大学柏克来分校教授AliJavery、阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）教授何志浩、前台大校长李嗣涔等人组成，已经发表了论文，论文共同第一作者连德轩是台大电机系博士，2015年才刚刚完成了博士口试，还拿到了国际电子半导体学会IEEE颁发的奖学金，会在这个学习毕业。

   台大跨国研究团队指出，过去的半导体材料如果越薄，其本身的物理缺陷就会对于电子、光电元件的可用效能，产生负面的影响。而目前该研究团队找到了修复缺陷的简单方法，建构出优质的单层二维半导体材料MoS2，没有过去二维材料的缺陷密度过高问题，期望未来可用提升LED发光的效率，更之后则有机会成为超微小半导体元件中的重要材料选择之一。

   根据研究团队的说法，这种材料可用发展出透明，同时具备挠性的高性能LED显示器，以及超高效率的太阳能发电元件，以及高敏感度的光侦测元件，还有更低功耗的纳米级半导体电晶体元件。

   LEDinside检视他们论文和发表的内容，研究团队是把二硫化钼（MoS2）材料浸润在亚胺（bistriflimide）的有机超强酸里面，这样一来氪大幅提高二维材料的量子效率，提升的极限，从原来提升不到1%的效果，增加到接近100%，换言之就是将近倍增的效果，因此有些媒体报导说LED发光效率提升100倍，这是错误的描述，并不是真的。

   这个材料要商业化，预期还有一段时间，世人可以拭目以待，期望有更好的光电与半导体材料造福人群与产业。