适用范围
适用于各种功率半导体器件:二极管、三极管、达林顿管、MOSFET管、IGBT、可控硅、桥堆等,进行高温反偏(HTRB);
产品特点
实时监测每个试验器件的漏电流。
全过程试验数据保存于硬盘中,可输出 Excel。
试验报表和绘制全过程漏电流IR 变化曲线
基本参数
| 项目 | 技术标准 | |||
| 高温箱 | 自研或广州五所 | |||
| 温度范围 | 环境温度 - 200℃ | |||
| 温度精度 | ≤±1℃ | |||
| 温度波动度 | ±0.4℃ | |||
| 温度均匀度 | ±3℃ | |||
| 通道数量 | 16通道(支持定制) | |||
| 器件数量 | 80工位每通道,共1280工位 | |||
| 试验电源 | 100V/200V/600V/1200V/2000V(支持定制) | |||
| 漏电流检测范围 | HTRB: 10nA~50mA | |||
| 上位机 | 工业级电脑主机、液晶显示器、专用键盘及鼠标 | |||
| 基本功能 | ·漏电流上限、试验电压上限、温度上限的设定;老化时间的设定 ·实时监测显示老化参数(IR、VR、Temp)及老化时间、老化进度 ·实时记录保存老化参数(IR、VR、Temp) ·实时判断是否超限,超限报警并记录超限工位及超限时间 ·老化参数方便调用、可生成试验报表、可绘制漏电流变化曲线 ·老化系统为单元模块和整体结构,每个模块可独立运行 | |||
| 电网要求 | 380V 50HZ | |||